 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65CHRC11 |
od PLN 39,509*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN (1 Oferta) Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 240ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 9,02*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FS50R12KT4B15BPSA1 |
od PLN 451,9242*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 90 A Uce 600 V PG-TO263-3 333 W (2 ofert) Niskostratnego tranzystora bipobiegunowego z izolowaną bramką Infineon w technologii trenchstop i Fieldstop.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócen... |
|
od PLN 9,788*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,369*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247GE 174 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 174 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH50TS65GC13 |
od PLN 11,071*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65EHRC11 |
od PLN 23,002*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 60 A Uce 600 V 1 PG-TO263-3 187 W (3 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 60 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 187 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu... |
|
od PLN 7,458*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-220FP 50 W (1 Oferta) Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le... |
ST Microelectronics STGF30H65DFB2 |
od PLN 10,141*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 156 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS60TS65GC13 |
od PLN 8,771*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3-AI Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 59A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania... |
|
od PLN 4 849,9512*
za 240 szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65DHRC11 |
od PLN 26,193*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 8 A Uce 600 V 1 PG-TO-220-3 42 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 42 W Typ opakowania = PG-TO-220-3 Typ montażu ... |
|
od PLN 2,666*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65DHRC11 |
od PLN 11 420,10*
za 450 szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247 416 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 416 W Typ opakowania = TO-247 |
|
od PLN 14,74*
za szt. |
|
|
