 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 D2PAK (TO-263) 167 W (2 ofert) Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le... |
ST Microelectronics STGB30H65DFB2 |
od PLN 4,707*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247 416 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 416 W Typ opakowania = TO-247 |
|
od PLN 11,479*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 8 A Uce 600 V 1 PG-TO-220-3 42 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 42 W Typ opakowania = PG-TO-220-3 Typ montażu ... |
|
od PLN 2,676*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65HRC11 |
od PLN 20,077*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 8,5A; 38W; DPAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 8,5A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 38W Właściwości elementów półprzewodnikowych: i... |
|
od PLN 3,54*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż w o... |
|
od PLN 3 272,92*
za 10 szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247 167 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 167 W Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STGWA30H65DFB2 |
od PLN 6,59*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 62A; 543W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 62A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 49ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GP60BG |
od PLN 69,64*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247GE 174 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH50TS65DGC13 |
od PLN 12,548*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65EHRC11 |
od PLN 36,393*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 93A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 95ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT75GN60BG |
od PLN 39,28*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FP50R12KT4B11BPSA1 |
od PLN 443,608*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 7A; 24W; TO220FP (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 7A Prąd kolektora w impulsie: 28A Typ tranzystora: IGBT Moc ... |
ST Microelectronics STGF7H60DF |
od PLN 3,46*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH50N65WR6XKSA1 |
od PLN 288,66*
za 30 szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOD6B60M1 |
od PLN 1,53*
za szt. |
|
|
