 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 19A; 52W; TO220AB (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 19A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 52W Rodzaj opakowania: tuba Właściwości eleme... |
|
od PLN 8,27*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 1 TO-247N 395 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGS50TSX2GC11 |
od PLN 20,349*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 15A; 100W; TO3P (1 Oferta) Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO3P Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 30A Czas załączania: 0,4µs Czas wył... |
|
od PLN 42,62*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 48 A Uce 600 V TO-247AD kanał: N 250 W (1 Oferta) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon z ultraszybką diodą do odzyskiwania energii.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektromag... |
|
od PLN 19,377*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 60 A Uce 600 V 1 PG-TO220-3 187 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 60 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 187 W Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montażu... |
|
od PLN 6,904*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-711 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONO2B-711 |
|
od PLN 440,5336*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 23A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 28ns Cz... |
|
od PLN 7,63*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 1 TO-247N 395 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 395 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGS50TSX2DGC11 |
od PLN 25,429*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP50R12N2T7PB11BPSA1 |
od PLN 465,424*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOT15B60D |
od PLN 5,49*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 5 A Uce 1200 V 6 DIP kanał: N (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 16.5V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = DIP Typ kanału = N Liczba styk... |
|
od PLN 93,289*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 187W Rodzaj op... |
|
od PLN 11,91*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 2 AG-34MM 285 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 285 W Typ opakowania = AG-34MM Typ montażu = M... |
|
od PLN 363,05*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS50R12N2T7B15BPSA2 |
od PLN 342,878*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 5 A Uce 600 V 400 DIP38 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Liczba tranzystorów = 400 Typ opakowania = DIP38 |
|
od PLN 32,18*
za szt. |
|
|
