 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 600 V 1 PG-TO247-3 306 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montażu = Otwó... |
|
od PLN 10,954*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 652ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 182,41*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1350 V PG-TO247-3 394 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1350 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±25 V Maksymalna strata mocy = 394 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Licz... |
|
od PLN 12,89*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 600 V PG-TO263-3 250 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Liczba styków... |
|
od PLN 27,881*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 48A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 22,42*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2 095,7112*
za 360 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 40A; 380W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 180A Czas załączania: 52ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 38,06*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 600 V PG-TO263-3 250 W (1 Oferta) Technologia Infineon Fieldstop tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką i miękką diodą z szybkim odzyskiwaniem antyemiterem równoległym.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona... |
|
od PLN 26,352*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GN120BDQ1G |
od PLN 29,23*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 600 V PG-TO247-3 428 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 428 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczba styków... |
|
od PLN 33,324*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 82A; 1,25kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 82A Prąd kolektora w impulsie: 500A Czas załączania: 112ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 83,13*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 PG-TO247 kanał: N 275 W (1 Oferta) Infineon IKW50N65EH5 to wysokoprędkościowe tranzystory IGBT z twardym przełączaniem o napięciu 650 V, które współpracują z technologią diod Rapid si. Ma wyższą gęstość mocy i ma niskie COE/EOSS.Wsp... |
|
od PLN 16,39*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 75ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 31,27*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 154,82*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 40A; 577W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 84ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 42,41*
za szt. |
|
|
