 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 46,31*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 8 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 7,2 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-SOT223-3 |
|
od PLN 2,573*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1,42 V 1 PG-TO247-4 395 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1,42 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza |
|
od PLN 17,638*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1,36kW; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie: 700A Czas załączania: 0,1µs Czas wyłączani... |
|
od PLN 25,47*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V PG-TO247-3 394 W (2 ofert) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon z potężną monolityczną diodą korpusu o niskim napięciu do przodu, zaprojektowany z myślą o miękkim komutacji.Wysoka sprawność Niskie straty przy p... |
|
od PLN 11,791*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1,65 V TO-247 535 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1,65 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 535 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otw... |
ST Microelectronics STGWA80H65DFBAG |
od PLN 20,561*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 265A Czas załączania: 33ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 83,84*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1,42 V 1 PG-TO247-4 395 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1,42 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 395 W Typ opakowania = PG-TO247-4 |
|
od PLN 23,963*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 32A; 300W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 32A Prąd kolektora w impulsie: 230A Czas załączania: 239ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 26,11*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 PG-TO247 kanał: N 5 kW (2 ofert) Infineon 40 A IGBT z diodą antyrównoległą jest bardzo miękką, szybką diodą antyrównoległą z odzyskiwaniem i charakteryzuje się wysoką stabilnym zachowaniem w zakresie temperatury. Użyto niskiego po... |
Infineon IKY40N120CS6XKSA1 |
od PLN 19,474*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 200A; 1,63kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 900A Czas załączania: 143ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 77,28*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 24A; 250W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 96A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 17,00*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 TO-247N 555 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGS80TSX2DGC11 |
od PLN 33,493*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 80,67*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 PG-TO247 kanał: N 5 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 25V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO247 Typ kanału = N Liczba ... |
Infineon IKY40N120CS6XKSA1 |
od PLN 19,654*
za szt. |
|
|
