 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 9,667*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GN120L2DQ2G |
od PLN 45,77*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 PG-TO247 kanał: N 275 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO247 Typ kanału = N Liczba s... |
|
od PLN 16,431*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 300V; 200A; 1kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 300V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA Czas załączania: 0,1µs Czas wyłączania... |
|
od PLN 67,17*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 270 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 270 W Typ opakowania = TO-263 Typ kanału = N Lic... |
|
od PLN 6,778*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 25,68*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247-3L 268 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 30 Typ opakowania = TO-247-3L |
|
od PLN 10,228*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 50A; 460W; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 240A Czas załączania: 60ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 66,21*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,55*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 99A; 833W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 99A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 101ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT75GN120LG |
od PLN 69,68*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 270 W (1 Oferta) Technologia Infineon TRENCHSTOP IGBT5 na nowo definiuje najlepszy w swojej klasie protokół IGBT, co prowadzi do obniżenia temperatury połączeń i obudowy, co prowadzi do większej niezawodności urząd... |
|
od PLN 9,55*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 695W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 370A Czas załączania: 92ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 60,77*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5 397,6015*
za 450 szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247-3L 469 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 30 Typ opakowania = TO-247-3L |
|
od PLN 16,271*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 55A; 460W; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 55A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 70ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 71,15*
za szt. |
|
|
