Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 797 ofert spośród 4 779 728 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-ECONO3-3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w i...
Infineon
FP75R12KT4
od PLN 888,04*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 1 PG-TO247 Pojedynczy kanał: N 880 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 25V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO247 Typ kanału = N Liczba...
Infineon
IKQ75N120CS6XKSA1
od PLN 28,578*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 175A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 175A Prąd kolektora w impulsie: 450A Zastos...
IXYS
VUB160-16NOXT
od PLN 353,12*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS150R12N2T7B15BPSA1
od PLN 659,454*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impul...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GT120JU3
od PLN 165,22*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 176 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 176 W Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = ...
Infineon
IKW15N120CS7XKSA1
od PLN 15,218*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; mostek 1-fazowy diodowy; Ic: 11A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 0 Moc: 1,5kW Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 11A Prąd kolekt...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 01NEC066V3 25232420
od PLN 174,92*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP150R12N3T7B11BPSA1
od PLN 1 133,403*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A; D59 (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GA12V 22892123
od PLN 621,48*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP150R12N3T7PB11BPSA1
od PLN 1 178,704*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 22A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 1 Moc: 5,5kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 22A Prąd kolekt...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 12NAB126V1 25230020
od PLN 133,48*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS150R12N3T7BPSA1
od PLN 807,883*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; mostek 3-fazowy diodowy; Ic: 6A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-EASY1B-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w im...
Infineon
FP06R12W1T4B3BOMA1
od PLN 131,48*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 15 A Uce 1200 V AG-EASY1B-711 (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-EASY1B-711
Infineon
FP15R12W1T7BOMA1
od PLN 132,103*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV; SMT (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SMPD-B...
IXYS
IXA30PG1200DHGLB
od PLN 43,94*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   254   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.