Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 797 ofert spośród 4 786 955 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 110A Prąd kolektora w impulsie: 650A Mo...
IXYS
IXXN110N65B4H1
od PLN 101,93*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 193 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 193 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 517 W Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu ...
Vishay
VS-GT200TS065N
od PLN 344,414*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 110A Prąd kolektora w impulsie: 470A Mo...
IXYS
IXXN110N65C4H1
od PLN 102,16*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 2,2 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 5,1 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 2,2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 5,1 W Typ opakowania = PG-SOT223-3
Infineon
IKN01N60RC2ATMA1
od PLN 2 382,45*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 20 A Uce 600 V 1 TO-247 192 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 192 W Typ opakowania = TO-247
Bourns
BIDW20N60T
od PLN 9,375*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC018NE2LSATMA1
od PLN 3,015*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 900V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w i...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GP90JDQ2
od PLN 189,58*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 35A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 11kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 35A Prąd ko...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24AC12T4V1 25231460
od PLN 500,24*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 2,05 V 7 DIP kanał: N 63.1 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2,05 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = DIP Typ kanału = N Liczba stykó...
Infineon
IM564X6DXKMA1
od PLN 53,84*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 600 V SDIP2B Szereg 0.08 mW (1 Oferta) 
Wytrzymałe tranzystory IGBT firmy STMicroelectronics do zwarć łączą w sobie nowe funkcje kontroli ICS firmy ST z odporną na zwarcia bramką do rowów z ogranicznikiem polowym IGBT, co czyni je przyda...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-LZ
od PLN 118,35*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 190A Prąd kolektora w impulsie: 800A M...
IXYS
IXGN400N60A3
od PLN 173,55*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 160 A Uce 1200 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: P 454 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 160 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 454 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = O...
onsemi
FGH40T120SQDNL4
od PLN 17,493*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 14A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 14A Prąd kolektora w impulsie: 2...
Powersem
PSII 15/12
od PLN 104,99*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 600 V 1 TO-247 192 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 192 W Typ opakowania = TO-247
Bourns
BIDW20N60T
od PLN 8,76*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 15kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd ko...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 25AC12T4V1 25231550
od PLN 580,87*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   254   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.