Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 797 ofert spośród 4 781 665 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 1,5kA ...
IXYS
IXGN400N60B3
od PLN 174,25*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Monta...
Vishay
VS-GT90SA120U
od PLN 122,39*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 160A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 160A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Mo...
IXYS
IXXN200N60B3
od PLN 118,91*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 187 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 890 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 187 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 890 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu =...
Vishay
VS-GT100DA120UF
od PLN 143,164*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tyrystor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tyrystor/IGBT Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 82A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 28AHB16V1 25230170
od PLN 527,59*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 193 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 193 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 517 W Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu ...
Vishay
VS-GT200TS065N
od PLN 361,832*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; AG-62MM (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w...
Infineon
FZ600R12KE3HOSA1
od PLN 841,27*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V PG-TO247-4-2 938 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 938 W Typ opakowania = PG-TO247-4-2
Infineon
IKY75N120CH3XKSA1
od PLN 52,82*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 98A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Moc...
IXYS
IXXN200N60B3H1
od PLN 136,15*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 1899-12-31 06:00:00 Uce 600 V 1 TO-263 kanał: N 88 W (3 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1899-12-31 06:00:00 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 88 W Typ opakowania = TO-263 Typ...
Infineon
IKB06N60TATMA1
od PLN 2,936*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 98A Prąd kolektora w impulsie: 440A Mo...
IXYS
IXXN100N60B3H1
od PLN 127,01*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 1899-12-31 08:00:00 Uce 650 V 1 TO-220 kanał: N 31,2 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1899-12-31 08:00:00 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 31,2 W Typ opakowania = T...
Infineon
IKA08N65H5XKSA1
od PLN 10,988*
za 2 szt.
 
 opakowania
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 29A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120J
od PLN 156,80*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 1200 V PG-TO247-3 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 25V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IHW20N120R5XKSA1
od PLN 9,051*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: P 455 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 455 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Ot...
onsemi
FGH75T65SHDTL4
od PLN 16,858*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   254   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.