Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 797 ofert spośród 4 786 956 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP200R12N3T7B11BPSA1
od PLN 1 248,168*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż w ...
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
od PLN 13 311,78*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 241A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GB12T4 22892060
od PLN 489,91*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS200R12N3T7BPSA1
od PLN 941,508*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GB12T4 22892020
od PLN 229,43*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mo...
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
od PLN 1 108,444*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 52A Prąd kolektora w impulsie: 360A Mo...
IXYS
IXGN72N60C3H1
od PLN 111,94*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 1700 V 1 62MMHB kanał: N 1250 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = 62MMHB Typ montażu = Montaż n...
Infineon
FF200R17KE4HOSA1
od PLN 543,329*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A...
Infineon
FF300R12KT3EHOSA1
od PLN 656,61*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 1899-12-31 08:00:00 Uce 650 V 1 TO-220 kanał: N 70 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1899-12-31 08:00:00 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 70 W Typ opakowania = TO-...
Infineon
IKP08N65H5XKSA1
od PLN 5,472*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 324A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GB12T4 22892070
od PLN 820,76*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 2 ECOPACK kanał: NPN 714 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = ECOPACK Typ montażu = M...
ST Microelectronics
STGSB200M65DF2AG
od PLN 71,069*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM75GB12V 22892013
od PLN 278,50*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 750 V 3 TO247PLUS 1,07 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 3 Typ opakowania = TO247PLUS
Infineon
AIKQ200N75CP2XKSA1
od PLN 14 042,82*
za 240 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 98A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Moc...
IXYS
IXXN200N60C3H1
od PLN 122,96*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   254   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.