Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 797 ofert spośród 4 786 956 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 6 Moduł Sześciopak kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mo...
Infineon
FS150R12N2T7BPSA1
od PLN 5 463,11*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 21A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 265A Mo...
IXYS
IXBN42N170A
od PLN 126,80*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mo...
Infineon
FP150R12N3T7BPSA1
od PLN 11 506,67*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 93A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 3 Moc: 22kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 93A Prąd kolekto...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 38NAB12T4V1 M20 025231490
od PLN 1 401,59*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 120A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 700A M...
IXYS
IXYN120N120C3
od PLN 137,19*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP150R12N3T7PB11BPSA1
od PLN 1 076,127*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 46A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 380A Mo...
IXYS
IXYN82N120C3
od PLN 137,42*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V Max247 750 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 750 W Typ opakowania = Max247 Typ montażu = O...
ST Microelectronics
STGYA75H120DF2
od PLN 35,82*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 42A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 100A Za...
IXYS
IXBN75N170A
od PLN 204,82*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V PG-TO247-4-2 938 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 938 W Typ opakowania = PG-TO247-4-2
Infineon
IKY75N120CH3XKSA1
od PLN 48,54*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impul...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GLQ65JU3
od PLN 105,56*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = Montaż...
Vishay
VS-GT90DA120U
od PLN 112,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 34A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 34A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT45GP120JDQ2
od PLN 148,87*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS150R12N2T7B54BPSA1
od PLN 660,909*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 160A Prąd kolektora w impulsie: 1,05kA...
IXYS
IXGN200N170
od PLN 251,30*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   254   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.