Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 797 ofert spośród 4 786 956 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 20 A Uce 600 V 1 PG-TO252 Pojedynczy kanał: N 150 W (2 ofert) 
Infineon IKD03N60RF jest bardziej niezawodny ze względu na monolitycznie zintegrowany IGBT i diodę ze względu na mniejsze cykle termiczne podczas przełączania. Charakteryzuje się płynnym przełączan...
Infineon
IKD10N60RATMA1
od PLN 2,276*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 50A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 485A Mo...
IXYS
IXYN50N170CV1
od PLN 208,92*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 70 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 70 W Typ opakowania = TO-247-3-HCC Typ montażu ...
Infineon
IKWH20N65WR6XKSA1
od PLN 7,70*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 490A Mo...
IXYS
IXYN100N65B3D1
od PLN 100,75*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 160 A Uce 600 V PG-TO247-3-46 714 W (2 ofert) 
Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon i dodatnim współczynnikiem temperatury w napięciu nasycenia posiada szybką diodę antyemitera równoległego z odzyskiwaniem.Wysoka sprawność Niskie...
Infineon
IKQ100N60TXKSA1
od PLN 28,83*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 60A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITOP4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impu...
SEMIKRON DANFOSS
SK 50 GD 12T4 T 24914940
od PLN 335,98*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 600 V SDIP2B Szereg 0.08 mW (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 600V Maksymalna strata mocy = 0.08 mW Typ opakowania = SDIP2B Liczba styków =...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-LZ
od PLN 39,55*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 66A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 18,5kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 66A Prąd ...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 26AC126V1 25230100
od PLN 942,49*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 125 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 125 W Typ opakowania = TO-263 Typ montaż...
Infineon
IGB20N65S5ATMA1
od PLN 3,939*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP200R12N3T7B11BPSA1
od PLN 1 315,493*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 360A Moc...
IXYS
IXYN75N65C3D1
od PLN 95,95*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 781 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu =...
Vishay
VS-GT90SA120U
od PLN 1 031,09*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek H; Urmax: 600V; Ic: 17A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 17A Prąd kolektora w impulsie: 3...
Powersem
PSHI 25/06
od PLN 74,86*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 70 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 70 W Typ opakowania = TO-247-3-HCC Typ montażu ...
Infineon
IKWH20N65WR6XKSA1
od PLN 221,8401*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 176A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GB12V 22892043
od PLN 522,46*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   254   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.