Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor SMD

  Tranzystor SMD  (9 248 ofert spośród 4 810 382 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor SMD“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor SMD"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IC: driver; półmostek IGBT,półmostek MOSFET; SO8; -500÷250mA (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO8 Napięcie zasilania: 10...20V DC Prąd wyjściowy: -500...250mA Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 160ns Cz...
onsemi
NCP5109BDR2G
od PLN 2,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 110 A DFN5 80 V SMD 0,004 oma (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET „ON Semiconductor N”; jest wyposażony w prąd o napięciu 110 A i napięciu 80 V. Niewielkie wymiary pozwalają na niewielkie rozmiary i niski poziom sygnału RDS(ON), co minimalizuje ...
onsemi
NVMFS6H824NLT1G
od PLN 5,077*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 13A; 90W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 13A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 90W Rodzaj opakowania: rolka Właściwości elemen...
Infineon
IRGS6B60KDTRLP
od PLN 4 042,984*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor bipolarny 800mA NPN 45V SOT-23 (1 Oferta) 
Nazwa produktu=Tranzystor bipolarny, Typ=BC817-40R13, Ciągły prąd kolektora (Ic)=800 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-999, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napi...
Diotec
BC817-40R13
od PLN 0,132*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 136 A DFN 80 V SMD 0,004 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 136 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...
onsemi
NTMFSC004N08MC
od PLN 4,827*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; sterownik bramkowy IGBT; DIP8; -2÷1A; 2÷13,9V; Ch: 1 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...105°C Obudowa: DIP8 Napięcie zasilania: 11...20V DC Napięcie wyjściowe: 2...13,9V Prąd wyjściowy: -2...1A Typ układu scalonego: driver Czas na...
onsemi
MC33153PG
od PLN 4,204*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 139 A PG-TO263-7 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 139 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005742001
od PLN 3 276,04*
za 800 szt.
 
 opakowanie
IC: driver; sterownik bramkowy IGBT; SO8; -2÷1A; 2÷13,9V; Ch: 1 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...105°C Obudowa: SO8 Napięcie zasilania: 11...20V DC Napięcie wyjściowe: 2...13,9V Prąd wyjściowy: -2...1A Typ układu scalonego: driver Czas nar...
onsemi
MC33153DG
od PLN 5,245*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 121 A. D2PAK (TO-263) 150 V SMD 0,004 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 121 A. Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezysta...
onsemi
NTBGS6D5N15MC
od PLN 12,20*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; sterownik bramkowy IGBT,sterownik bramkowy MOSFET (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SO16 Prąd zasilania DC: 2mA Napięcie zasilania: 4...16V Napięcie wyjściowe: 5V Prąd wyjściowy: 0,6A Typ układu scalonego: driver Liczba kanałów: 3...
ST Microelectronics
TD310ID
od PLN 7,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny, NPN, 40V, SOT-23 (3 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor bipolarny, Typ=MMBT2222A RFG, Ciągły prąd kolektora (Ic)=600 mA, Częstotliwość tranzytowa=300 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=75 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Na...
Taiwan Semiconductor
MMBT2222A RFG
od PLN 0,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 118 A PG-TO252-3 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 118 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005737451
od PLN 6 360,80*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 130W Rodzaj opak...
Infineon
IGB15N60TATMA1
od PLN 3,352*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny, NPN, 40V, SOT-23 (2 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor bipolarny, Typ=SMBT2222AE6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=600 mA, Częstotliwość tranzytowa=300 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=75 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6...
Infineon
SMBT2222AE6327HTSA1
od PLN 0,151*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 14 A PG-HDSOP-22 600 V SMD, montaż powierzchniowy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = PG-HDSOP-22 Typ montażu = SMD, montaż powierzchniowy
Infineon
SP005559294
od PLN 25,12*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   617   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.