Tranzystor SMD kup korzystnie w Mercateo (strona 13/618)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor bipolarny, NPN, 45V, SOT-23 (3 ofert)

Nazwa produktu=Tranzystor bipolarny, Typ=BC847CE6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=250 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V,...

Infineon

BC847CE6327HTSA1

od PLN 0,0838*
za szt.

IC: driver; sterownik bramkowy IGBT; SO8; -2÷1A; 2÷13,9V; Ch: 1 (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...105°C Obudowa: SO8 Napięcie zasilania: 11...20V DC Napięcie wyjściowe: 2...13,9V Prąd wyjściowy: -2...1A Typ układu scalonego: driver Czas nar...

onsemi

MC33153DG

od PLN 5,245*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 139 A PG-TO263-7 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 139 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005742001

od PLN 3 276,04*
za 800 szt.

Tranzystor bipolarny, PNP, -60V, SOT-223 (3 ofert)

Nazwa produktu=Tranzystor bipolarny, Typ=BCP5216TA, Ciągły prąd kolektora (Ic)=-1 A, Częstotliwość tranzytowa=150 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-60 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-5 V, Napięc...

Diodes

BCP5216TA

od PLN 0,188*
za szt.

Tranzystor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 30A Typ tranzystora: IGBT Moc ro...

ST Microelectronics

STGD10NC60KDT4

od PLN 3,60*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 14 A PG-HDSOP-22 600 V SMD, montaż powierzchniowy (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = PG-HDSOP-22 Typ montażu = SMD, montaż powierzchniowy

Infineon

SP005559294

od PLN 25,12*
za szt.

Tranzystor bipolarny, PNP, 45V, SOT-23 (2 ofert)

Nazwa produktu=Tranzystor bipolarny, Typ=BC857CE6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=250 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V,...

Infineon

BC857CE6327HTSA1

od PLN 0,0646*
za szt.

Tranzystor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK (2 ofert)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 18A Prąd kolektora w impulsie: 30A Czas załączania: 20ns Cz...

Infineon

IKB10N60TATMA1

od PLN 3,176*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 129 A PG-TO252-3 80 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 129 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005737450

od PLN 5,386*
za szt.

Tranzystor bipolarny, PNP, 500V, SOT-23 (3 ofert)

Nazwa produktu=Tranzystor bipolarny, Typ=TSA884CX RFG, Ciągły prąd kolektora (Ic)=150 mA, Częstotliwość tranzytowa=50 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=500 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Nap...

Taiwan Semiconductor

TSA884CX RFG

od PLN 0,79*
za szt.

Tranzystor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; systemy zapłonowe (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 450V Napięcie bramka - emiter: ±10V Prąd kolektora: 23A Typ tranzystora: IGBT Zastosowanie: systemy zapłonowe Moc rozpraszana: ...

onsemi

FGD3245G2-F085

od PLN 4,472*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 135 A PG-TO263-3 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 135 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005741998

od PLN 5,368*
za szt.

Tranzystor cyfrowy, 50V, 100mA, 10kOhm, NPN, SOT-23-3 (2 ofert)

Nazwa produktu=Tranzystor cyfrowy, Typ=BCR135E6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość robocza=150 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napi...

Infineon

BCR135E6327HTSA1

od PLN 0,294*
za szt.

Tranzystor: IGBT; 390V; 31A; 250W; D2PAK; systemy zapłonowe (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 390V Napięcie bramka - emiter: ±10V Prąd kolektora: 31A Typ tranzystora: IGBT Zastosowanie: systemy zapłonowe Moc rozpraszana:...

onsemi

ISL9V5036S3ST

od PLN 8,416*
za szt.

Infineon IPZ40N04S5L-2R8 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

od PLN 8,76*
za 5 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .. 618 Dalej

Tranzystor SMD (9 259 ofert spośród 4 810 382 artykułów)

"Tranzystor SMD"