 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 0,353*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 2,4 A SOT-223 500 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 500 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
|
od PLN 1,13*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK (2 ofert) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 187W Rodzaj opak... |
|
od PLN 7,468*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,457*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STL26N60DM6 |
od PLN 7,664*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOD6B60M1 |
od PLN 1,50*
za szt. |
|
|
|
Infineon BFP193WH6327XTSA1 |
od PLN 0,258*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,843*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 46,51*
za szt. |
|
|
|
Infineon BFR193FH6327XTSA1 |
od PLN 0,322*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,001*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK (2 ofert) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 37ns C... |
|
od PLN 8,801*
za szt. |
|
|
|
Infineon BFR193L3E6327XTMA1 |
od PLN 0,731*
za szt. |
|
|
|
Infineon IAUZ20N08S5L300ATMA1 |
od PLN 2,56*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 4A Prąd kolektora w impulsie: 12A Typ tranzystora: IGBT Moc ... |
|
od PLN 2,80*
za szt. |
|
|
