 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOD5B65N1 |
od PLN 1,70*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,758*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,689*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 46A; 379W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 46ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GN120SG |
od PLN 39,79*
za szt. |
|
|
|
Infineon BFP620FH7764XTSA1 |
od PLN 0,939*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 179 A TDSON 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 179 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon ISC030N10NM6ATMA1 |
od PLN 29 994,10*
za 5 000 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 63ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 31,35*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,499*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 38,738*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 43ns Czas wyłączania: 3... |
|
od PLN 82,17*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,681*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6 746,464*
za 800 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 43ns Czas wyłączania: 3... |
|
od PLN 46,42*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,845*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 11,647*
za szt. |
|
|
