Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor SMD

  Tranzystor SMD  (9 248 ofert spośród 4 810 382 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor SMD“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor SMD"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 110W Rodzaj opak...
Infineon
IGB10N60TATMA1
od PLN 3,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor cyfrowy, 50V, 100mA, 29kOhm, NPN, SOT-23-3 (2 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor cyfrowy, Typ=BCR142E6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość robocza=150 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=10 V, Nap...
Infineon
BCR142E6327HTSA1
od PLN 0,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 136 A DFN 80 V SMD 0,004 oma (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ON Semiconductor Power Single N-Channel działa z napięciem 136 A i 80 V. Może być używany w aplikacjach do konwersji DC-DC, Orring FET/Load Switching, synchronicznego prostownicy....
onsemi
NTMFSC004N08MC
od PLN 15 195,90*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; systemy zapłonowe (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 450V Napięcie bramka - emiter: ±10V Prąd kolektora: 23A Typ tranzystora: IGBT Zastosowanie: systemy zapłonowe Moc rozpraszana: ...
onsemi
FGD3245G2-F085
od PLN 4,472*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor cyfrowy, 50V, 100mA, 62kOhm, PNP, SOT-23-3 (1 Oferta) 
Nazwa produktu=Tranzystor cyfrowy, Typ=BCR198E6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość robocza=190 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=10 V, Nap...
Infineon
BCR198E6327HTSA1
od PLN 0,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 129 A PG-TO252-3 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 129 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005737450
od PLN 6 501,78*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; 600V; 5A; 21,7W; TO252; Ewył: 0,04mJ; Ezał: 0,14mJ (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Napięcie nasycenia kol.-emit.: 1,55V Prąd kolektora: 5A Prąd kolektor...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD5B60D
od PLN 2,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor cyfrowy, 50V, 500mA, 1kOhm, NPN, SOT-23-3 (3 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor cyfrowy, Typ=BCR523E6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=500 mA, Częstotliwość robocza=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napi...
Infineon
BCR523E6327HTSA1
od PLN 0,268*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 149 A SuperSO8 5 x 6 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 149 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...
Infineon
BSC0901NSATMA1
od PLN 3,458*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 28A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 32ns Cz...
Infineon
IKB20N60TATMA1
od PLN 6,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor cyfrowy, 50V, 500mA, 2.2kOhm, NPN, SOT-23-3 (3 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor cyfrowy, Typ=BCR503E6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=500 mA, Częstotliwość robocza=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=10 V, Nap...
Infineon
BCR503E6327HTSA1
od PLN 0,246*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 161 A PG-TO263-3 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 161 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005571694
od PLN 4 179,456*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 20A Typ tranzystora: IGBT Moc r...
ST Microelectronics
STGB10NC60HDT4
od PLN 3,354*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor cyfrowy, 50V, 500mA, 4.7kOhm, NPN, SOT-23-3 (3 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor cyfrowy, Typ=BCR512E6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=500 mA, Częstotliwość robocza=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=10 V, Nap...
Infineon
BCR512E6327HTSA1
od PLN 0,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 14 A PG-HDSOP-22 600 V SMD, montaż powierzchniowy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = PG-HDSOP-22 Typ montażu = SMD, montaż powierzchniowy
Infineon
SP005559294
od PLN 14 530,365*
za 750 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   617   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.