Podgląd | "Tranzystor SMD"Pojęcia nadrzędne |
| | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; 650V; 18A; 52,5W; D2PAK (2 ofert) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 18A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 33ns Cz... |
|
od PLN 5,332* za szt. |
| |
Tranzystor HF, NPN, 12V, 20mA, SC-70-3 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor HF, Typ=BFR181WH6327XTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=20 mA, Częstotliwość tranzytowa=8 GHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=20 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=2 V, Napięcie... |
Infineon BFR181WH6327XTSA1 |
od PLN 0,286* za szt. |
| |
|
|
od PLN 6,057* za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; 650V; 25A; 62,5W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 40ns Cz... |
|
od PLN 9,38* za szt. |
| |
Tranzystor HF, NPN, 12V, 20mA, SOT-23-3 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor HF, Typ=BFR181E6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=20 mA, Częstotliwość tranzytowa=8 GHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=20 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=2 V, Napięcie ... |
|
od PLN 0,322* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 179 A TDSON 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 179 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon ISC030N10NM6ATMA1 |
od PLN 9,094* za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 170W Rodzaj opak... |
|
od PLN 6,06* za szt. |
| |
Tranzystor HF, NPN, 12V, 35mA, SC-59-3 (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor HF, Typ=BFR182E6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=35 mA, Częstotliwość tranzytowa=8 GHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=20 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=2 V, Napięcie ... |
|
od PLN 0,356* za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,89* za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK (2 ofert) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 333W Rodzaj opak... |
|
od PLN 9,778* za szt. |
| |
Tranzystor HF, NPN, 12V, 35mA, SC-70-3 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor HF, Typ=BFR182WH6327XTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=35 mA, Częstotliwość tranzytowa=8 GHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=20 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=2 V, Napięcie... |
Infineon BFR182WH6327XTSA1 |
od PLN 0,299* za szt. |
| |
|
Infineon IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
od PLN 3,102* za szt. |
| |
|
Alpha & Omega Semiconductor AOD5B65M1 |
od PLN 1,61* za szt. |
| |
Tranzystor HF, NPN, 12V, 65mA, SOT-343-4 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor HF, Typ=BFP183WH6327XTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=65 mA, Częstotliwość tranzytowa=8 GHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=20 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=2 V, Napięcie... |
Infineon BFP183WH6327XTSA1 |
od PLN 0,41* za szt. |
| |
|
Infineon IPG16N10S461ATMA1 |
od PLN 2,835* za szt. |
| |
|