Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (8 788 ofert spośród 4 798 983 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; XPT™; 4,5kV; 30A; 430W; TO247HV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 4,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 632ns Czas wyłączani...
IXYS
IXYH30N450HV
od PLN 134,24*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 310 A Uce 950 V Moduł EasyPACK 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 310 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł EasyPACK
Infineon
SP005434947
od PLN 5 991,14802*
za 6 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 34 A Uce 600 V 1 D2PAK 100 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 34 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza
Infineon
AUIRG4BC30SSTRL
od PLN 14,946*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 6,5 A Uce 600 V 1 PG-TO252 Pojedynczy kanał: N 53.6 W (3 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 6,5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO252 Typ kanału = N Liczba ...
Infineon
IKD03N60RFATMA1
od PLN 1,386*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 84A, TO-220 (3 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1010EPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=84 A, Czas narastania=78 ns, Czas opadania=53 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=48 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięc...
Infineon
IRF1010EPBF
od PLN 2,926*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 10A; 280W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 84A Czas załączania: 21ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXYH10N170C
od PLN 26,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 25V; 0,225W; SOT23; 10mA (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 25V Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napię...
onsemi
MMBFU310LT1G
od PLN 0,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 24A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 140A Czas załączania: 47ns Czas wyłączania...
IXYS
IXYH24N170C
od PLN 36,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 650V, 15A, TO-220-3 (3 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=SPA15N60C3XKSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=15 A, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=50 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napi...
Infineon
SPA15N60C3XKSA1
od PLN 7,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 1,4mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC59 Prąd bramki: 10mA Prąd drenu: 1,4mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,1W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka...
Toshiba
2SK208-O(TE85L,F)
od PLN 0,69*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż w o...
Infineon
FP35R12N2T7BPSA1
od PLN 2 688,48*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 50A; 1,5kW; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 460A Czas załączania: 62ns Czas wyłączani...
IXYS
IXYX50N170C
od PLN 80,25*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V AG-EASY1B-711 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-EASY1B-711
Infineon
FS35R12W1T7B11BOMA1
od PLN 3 302,677*
za 24 szt.
 
 paczka
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 16A; 500W; TO247HV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 126A Czas załączania: 39ns Czas wyłączania...
IXYS
IXYH16N250CV1HV
od PLN 92,25*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 210 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 210 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FP35R12KT4BPSA1
od PLN 363,7062*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   381   382   383   384   385   386   387   388   389   390   391   ..   586   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.