 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65EHRC11 |
od PLN 30,284*
za szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, 30V, SC-59 (1 Oferta) Nazwa produktu=Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC859CE6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=250 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=30 V, Napięcie emiter-baz... |
|
od PLN 0,79*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 9,983*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 1 TO-247N 395 W (1 Oferta) Układ ROHM z ogranicznikiem polowym IGBT używany głównie w układzie PFC, UPS, IH i układzie kondycjonera mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 395 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wy... |
ROHM Semiconductor RGS50TSX2GC11 |
od PLN 20,684*
za szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, 45V, SOT-23 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC807-16LT1G, Ciągły prąd kolektora (Ic)=500 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (V... |
|
od PLN 0,0868*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP50R12N2T7PB11BPSA1 |
od PLN 455,425*
za szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, 60V, SOT-23 (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=SMBT2907AE6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=600 mA, Częstotliwość tranzytowa=200 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=60 V, Napięcie emiter-... |
Infineon SMBT2907AE6327HTSA1 |
od PLN 0,161*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 6 kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6 Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montażu = Mon... |
Infineon FS50R12W1T7B11BOMA1 |
od PLN 159,614*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 53 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 141 W (1 Oferta) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon jest wyposażony w szybką i miękką diodę antyrównoległą Rapid 1 w całkowicie izolowanym opakowaniu.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączanie... |
Infineon IKFW60N60DH3EXKSA1 |
od PLN 508,4301*
za 30 szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, 65V, SOT-363 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC856BDW1T1G, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=80 V, Napięcie emiter-baza (V... |
|
od PLN 0,0817*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS50R12N2T7B15BPSA2 |
od PLN 5 133,63*
za 15 szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor QS5K2TR |
od PLN 0,64*
za szt. |
|
|
Tranzystor SOT-23 Pojedyncza (1 Oferta) Nazwa produktu=Tranzystor, Typ=BCR108, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość robocza=170 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-999, Napięcie kolektor-emi... |
|
od PLN 0,27*
za szt. |
|
|
Tranzystor z opornikiem NPN SOT-23 Pojedyncza (1 Oferta) Nazwa produktu=Tranzystor z opornikiem NPN, Typ=PDTC123ET, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość robocza=-999, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=10 V, Napi... |
|
od PLN 0,132*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż w o... |
Infineon FP50R12N2T7B11BPSA1 |
od PLN 335,292*
za szt. |
|
|
