Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (8 788 ofert spośród 4 799 009 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 53A, SOT-227B (2 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IXFN60N80P, Ciągły prąd drenu (Id)=53 A, Czas narastania=29 ns, Czas opadania=26 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=110 ns, Czas opóźnienia włączenia=36 ns, Napięc...
IXYS
IXFN60N80P
od PLN 153,532*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 214 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 214 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW80TS65HRC11
od PLN 18,207*
za szt.
 
 szt.
Infineon
SPD06N80C3ATMA1
od PLN 3,201*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 147 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Liczba sty...
ST Microelectronics
STGWA20HP65FB2
od PLN 5,734*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 1 TO-247N 395 W (1 Oferta) 
ROHM Field stop trench IGBT używane głównie w falowniku, UPS, falowniku PV i kondycjonerze mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 395 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwar...
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2DGC11
od PLN 25,333*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.44 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza
ROHM Semiconductor
RGT40TS65DGC13
od PLN 11,786*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247 Wspólny nadajnik kanał: N 238 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Liczba st...
ST Microelectronics
STGWA40IH65DF
od PLN 12,10*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 2 AG-34MM 285 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 285 W Konfiguracja = Podwójna Typ montażu = Mo...
Infineon
FF50R12RT4HOSA1
od PLN 346,808*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 41 A Uce 300 V DPAK (TO-252) Pojedynczy kanał: N 150 W (1 Oferta) 
AEC-Q101. Podane wartości znamionowe dotyczą temperatury połączenia Tc = +110°C. Zapłon motoryzacyjny IGBT, firma Fairchild Semiconductor. Te urządzenia EcoSPARK IGBT zostały zoptymalizowane pod ką...
onsemi
FGD3040G2_F085
od PLN 4,024*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247GE 144 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH40TS65DGC13
od PLN 13,254*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP50R12N2T7PBPSA1
od PLN 4 061,82*
za 10 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 42 A Uce 650 V 1 DO-220-3 125 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 42 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza
Infineon
IGP20N65H5XKSA1
od PLN 5,106*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 214 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGW80TS65CHRC11
od PLN 38,059*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,46A; 0,27W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70-6;SOT363;SC88 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 445mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,27W Po...
onsemi
NTJD4401NT1G
od PLN 0,25615*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 214 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Otwór pr...
ROHM Semiconductor
RGW80TS65EHRC11
od PLN 20,747*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   381   382   383   384   385   386   387   388   389   390   391   ..   586   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.