 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 12A; 310W; TO247HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 32ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 75,85*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 8A; 280W; TO247HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 24ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 71,87*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 104ns ... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65HF1 |
od PLN 29,30*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 300 A Uce 1700 V CTI 1,8 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 300 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1,8 kW Konfiguracja = Podwójna Typ montażu = ... |
|
od PLN 756,354*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 40A; 1,5kW; TO247HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 380A Czas załączania: 43ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 166,34*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH30N65WR6XKSA1 |
od PLN 6,669*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Trench; 600V; 160A; 375W; SUPER247 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: SUPER247 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 160A Prąd kolektora w impulsie: 360A Czas załączania: 16... |
|
od PLN 75,93*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 34 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 111 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 34 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 111 W Typ opakowania = PG-TO247-3-AI Li... |
Infineon IKFW40N60DH3EXKSA1 |
od PLN 15,902*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 467,37*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 500mA, TO-92 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=BS170, Ciągły prąd drenu (Id)=500 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (... |
|
od PLN 0,355*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65CHRC11 |
od PLN 34,555*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 8A; 280W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 24ns Czas wyłączania: 32... |
|
od PLN 40,84*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 50A, TO-220AB (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ44RPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=50 A, Czas narastania=110 ns, Czas opadania=92 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięc... |
|
od PLN 3,46*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 46,32*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65EHRC11 |
od PLN 18,445*
za szt. |
|
|
