 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 10A, TO-220FP (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP10NK60ZFP, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=55 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 8,72*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65GVC11 |
od PLN 6 511,23*
za 450 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 202A Czas załączania: 46ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT68GA60B |
od PLN 33,77*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 110A, ISOPLUS264 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFB110N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=110 A, Czas narastania=30 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=106 ns, Czas opóźnienia włączenia=63 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 69,05*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V TO247-3LD kanał: N 1,07 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1,07 kW Typ opakowania = TO247-3LD Typ montaż... |
|
od PLN 40,704*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 54A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 54A Prąd kolektora w impulsie: 170A Czas załączania: 47n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT45GP120BG |
od PLN 74,51*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 120mA, SOT-223 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSP125H6327XTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=120 mA, Czas narastania=14.4 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.7 ns, Napięcie b... |
|
od PLN 0,913*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 20 A Uce 600 V SDIP2B Szereg 0.08 mW (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 600V Maksymalna strata mocy = 0.08 mW Typ opakowania = SDIP2B Liczba styków =... |
ST Microelectronics STGIB15CH60TS-LZ |
od PLN 39,66*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 650V; 56A; 543W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 56A Prąd kolektora w impulsie: 224A Czas załączania: 47ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT45GR65B |
od PLN 19,97*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 120mA, SOT-223 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSP135H6906XTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=120 mA, Czas narastania=5.6 ns, Czas opadania=182 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=28 ns, Czas opóźnienia włączenia=5.4 ns, Napięcie br... |
|
od PLN 3,528*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 220 A Uce 950 V 6 EasyPACK kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 220 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = EasyPACK Typ kanału = N Liczba ... |
Infineon F3L400R10W3S7FB11BPSA1 |
od PLN 855,644*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 77ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GT120B2RDQ2G |
od PLN 74,12*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,87*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKW25N120CS7XKSA1 |
od PLN 19,331*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 240A Czas załączania: 52ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA60B |
od PLN 40,78*
za szt. |
|
|
