Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
Infineon BSS670S2LH6327XTSA1 |
od PLN 0,264*
za szt. |
| |
IGBT Ic 193 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 193 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 517 W Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu ... |
|
od PLN 361,352*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3A Prąd kolektora w impulsie: 24A Czas załączania: 85ns Czas wyłączania: 0,... |
|
od PLN 14,95*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 59A, TO-252 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR2905ZTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=59 A, Czas narastania=66 ns, Czas opadania=35 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=31 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 1,35*
za szt. |
| |
|
Infineon FP200R12N3T7BPSA1 |
od PLN 1 106,614*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 430A Czas załączania: 125ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 30,65*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 64A, TO-263 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ48NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=64 A, Czas narastania=78 ns, Czas opadania=50 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=34 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 2,334*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 19,694*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 109A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT36GA60BD15 |
od PLN 28,66*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 6,585*
za szt. |
| |
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP200R12N3T7B11BPSA1 |
od PLN 1 315,333*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 20A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 50A Czas załączania: 21ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT13GP120BG |
od PLN 25,77*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 75A, TO-220 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1010ZPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=75 A, Czas narastania=150 ns, Czas opadania=92 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 4,26*
za szt. |
| |
IGBT Ic 20 A Uce 1200 V PG-TO247-3 288 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 25V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 9,031*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 14A Czas załączania: 91ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 32,92*
za szt. |
| |
|
