Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystory  (20 067 ofert spośród 4 795 737 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS200R12N3T7BPSA1
od PLN 944,748*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 33A Prąd kolektora w impulsie: 90A Czas załączania: 26ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GP120BDQ1G
od PLN 49,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 28A, TO-3P (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFQ28N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=28 A, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=48 ns, Czas opóźnienia włączenia=27 ns, Napięcie bramka-źródł...
IXYS
IXFQ28N60P3
od PLN 17,78*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 250 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = ...
Infineon
IKW25N120CS7XKSA1
od PLN 16,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 85A; 962W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 85A Prąd kolektora w impulsie: 340A Czas załączania: 113ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT85GR120L
od PLN 63,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 300mA, SOT-223 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=STN1NK60Z, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=28 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=13 ns, Czas opóźnienia włączenia=5.5 ns, Napięcie bramka-źródł...
brak danych
STN1NK60Z
od PLN 2,31*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 650 V 1 PG-TO220 Pojedynczy kanał: N 32,5 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 30V Maksymalna strata mocy = 32,5 W Typ opakowania = PG-TO220 Typ kanału = N ...
Infineon
IKA10N65ET6XKSA2
od PLN 3,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 43A Prąd kolektora w impulsie: 129A Czas załączania: 28ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT43GA90BD30
od PLN 33,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 400mA, SOT-223 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=STN1HNK60, Ciągły prąd drenu (Id)=400 mA, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=19 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.5 ns, Napięcie bramka-źródł...
brak danych
STN1HNK60
od PLN 2,91*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 220 A Uce 950 V 6 EasyPACK kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
3-pozioniowy moduł IGBT Infineon 400A charakteryzuje się bardzo niskimi stratami przełączania i miękkim wyłączaniem. Spełnia odpowiednie normy 1500V falownika PV. Zapewnia wystarczającą odległość p...
Infineon
F3L400R10W3S7FB11BPSA1
od PLN 907,149*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 54A Prąd kolektora w impulsie: 161A Czas załączania: 37ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT54GA60B
od PLN 26,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 42A, ISOPLUS247 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFR64N60Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=42 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=50 ns, Czas opóźnienia włączenia=45 ns, Napięcie bramka-źródł...
IXYS
IXFR64N60Q3
od PLN 117,64*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 750 V 3 TO247PLUS 1,07 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 3 Typ opakowania = TO247PLUS
Infineon
AIKQ200N75CP2XKSA1
od PLN 14 040,8016*
za 240 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 140A Czas załączania: 36n...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120BG
od PLN 65,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 47A, TO-247 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=SPW47N60C3FKSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=47 A, Czas narastania=27 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=111 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-ź...
Infineon
SPW47N60C3FKSA1
od PLN 41,857*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   311   312   313   314   315   316   317   318   319   320   321   ..   1338   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.