Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = EasyPIM Typ kanału = N L... |
Infineon FP25R12W2T7B11BPSA1 |
od PLN 2 708,25*
za 15 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,6kV; 25A; 300W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,6kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 283ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 29,84*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 4A, TO-220FP (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP4NK60ZFP, Ciągły prąd drenu (Id)=4 A, Czas narastania=9.5 ns, Czas opadania=16.5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=29 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 5,34*
za szt. |
| |
IGBT Ic 26 A Uce 600 V 1 DO-220-3 130 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 26 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = DO-220-3 |
|
od PLN 3,627*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT64GA90B2D30 |
od PLN 50,83*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,524*
za szt. |
| |
IGBT Ic 23 A Uce 600 V TO-220AB Pojedynczy kanał: N (1 Oferta) Pojedynczy IGBT do 20A, Infineon. Zoptymalizowane układy IGBT przeznaczone do zastosowań w średnich częstotliwościach z szybką reakcją, zapewniające użytkownikowi najwyższą dostępną wydajność. Urzą... |
|
od PLN 301,42*
za 50 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 202A Czas załączania: 46ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT68GA60LD40 |
od PLN 47,39*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 64A, TO-264 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK64N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=64 A, Czas narastania=17 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=66 ns, Czas opóźnienia włączenia=43 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 36,68*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65GVC11 |
od PLN 14,91*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 330A Czas załączania: 69ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GP60B2G |
od PLN 96,32*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 6A, TO-220FP (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP6NK60ZFP, Ciągły prąd drenu (Id)=6 A, Czas narastania=14 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=47 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 9,15*
za szt. |
| |
|
ST Microelectronics STGWA25IH135DF2 |
od PLN 12,639*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 0,3µs Czas wyłączania... |
|
od PLN 21,20*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 80A, TO-264 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK80N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=80 A, Czas narastania=25 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=87 ns, Czas opóźnienia włączenia=48 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 46,84*
za szt. |
| |
|
