 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1100 V 1 TO-247 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1100 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 5.8V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Montaż po... |
|
od PLN 10,316*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA90S |
od PLN 49,92*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,81*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65DGVC11 |
od PLN 18,03*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 96A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 84ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT65GP60B2G |
od PLN 75,30*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPD60R360P7SAUMA1 |
od PLN 1,386*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 247 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 247 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu = Monta... |
|
od PLN 300,73*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 109A Czas załączania: 29ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT36GA60SD15 |
od PLN 33,03*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 16A; 190W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 90ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 36,08*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 1.7A, SOT-23 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=FDN5630, Ciągły prąd drenu (Id)=1.7 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=28 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=2... |
|
od PLN 0,59*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) ROHM Field stop trench IGBT używane głównie w falowniku, UPS, falowniku PV i kondycjonerze mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwar... |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DGC11 |
od PLN 19,499*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA90LD40 |
od PLN 60,79*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 1.7A, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=FDN5630, Ciągły prąd drenu (Id)=1.7 A, Czas narastania=6 ns, Czas opadania=5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=15 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=20 ... |
|
od PLN 1,01*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 247 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 247 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 517 W Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu ... |
|
od PLN 315,767*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 35A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 25ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GA90BD15 |
od PLN 27,03*
za szt. |
|
|
