Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 20A, TO-220FP (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP20NM60FP, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=42 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 24,74*
za szt. |
| |
IGBT Ic 200 A Uce 750 V 3 TO247PLUS 1,07 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 3 Typ opakowania = TO247PLUS |
Infineon AIKQ200N75CP2XKSA1 |
od PLN 14 101,9704*
za 240 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3A Prąd kolektora w impulsie: 14A Czas załączania: 91ns Czas wyłączania: 27... |
|
od PLN 42,11*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,34*
za szt. |
| |
IGBT Ic 220 A Uce 950 V 6 EasyPACK kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 220 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = EasyPACK Typ kanału = N Liczba ... |
Infineon F3L400R10W3S7FB11BPSA1 |
od PLN 857,704*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 14A Czas załączania: 91ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 32,89*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 22A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFP22N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=22 A, Czas narastania=17 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=54 ns, Czas opóźnienia włączenia=28 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 10,103*
za szt. |
| |
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 2 ECOPACK kanał: NPN 714 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = ECOPACK Typ montażu = M... |
ST Microelectronics STGSB200M65DF2AG |
od PLN 11 415,17*
za 200 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 102A Prąd kolektora w impulsie: 307A Czas załączania: 64ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT102GA60B2 |
od PLN 60,73*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 23.8A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IPP60R160C6XKSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=23.8 A, Czas narastania=13 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=96 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka... |
|
od PLN 7,79*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 3,86*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 77ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GT120B2RG |
od PLN 68,17*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 28A, TO-3P (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFQ28N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=28 A, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=48 ns, Czas opóźnienia włączenia=27 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 17,74*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65GVC11 |
od PLN 15,00*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 300mA, SOT-223 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STN1NK60Z, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=28 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=13 ns, Czas opóźnienia włączenia=5.5 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 2,31*
za szt. |
| |
|
