Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 581 ofert spośród 4 765 831 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 470 A H-PSOF8L 60 V SMD 0.75 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 470 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = NTBLS0D7N06C Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...
onsemi
NTBLS0D7N06C
od PLN 17,624*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 710ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W P...
IXYS
IXTQ30N60L2
od PLN 50,14*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 44 A PG-TO220-FP 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO220-FP Typ montażu = SMD
Infineon
IPA083N10N5XKSA1
od PLN 6,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23A; 29W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 29W Polar...
Infineon
IPA60R080P7
od PLN 12,17*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-220 FP 600 V 0.06 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
Infineon
IPA60R060P7XKSA1
od PLN 16,558*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24A; 400W; TO3P; 140ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,175Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W ...
IXYS
IXFQ24N60X
od PLN 15,69*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 464 A DFN 30 V SMD 0.00052 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ON Semiconductor 30 V wykorzystował prąd odpływowy 464 A z pojedynczym kanalem N. Ma doskonałe przewodzenie termiczne i poprawia wydajność systemu.Pakiet Advanced (5x6 mm) Bardzo ...
onsemi
NTMFS0D5N03CT1G
od PLN 12,982*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 20A; 29W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 29W Polar...
Infineon
IPA60R099P7
od PLN 14,23*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 478 A D2PAK-7 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 478 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = D2PAK-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IRL40SC209
od PLN 11,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3-1 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 255W...
Infineon
IPP60R099CPXKSA1
od PLN 23,57*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 44 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0.0168 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerDI5060-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja...
Diodes
DMT69M9LPDW-13
od PLN 2,452*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 624W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT34M60S
od PLN 57,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-220AB 600 V 0,052 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Vishay
SIHP052N60EF-GE3
od PLN 15,918*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24mA; 500mW; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 800Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,5W Polary...
Taiwan Semiconductor
TSM126CX RFG
od PLN 0,51*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 47 A PowerPAK 10 x 12 650 V Montaż na płytce drukowanej (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej Liczba styków = 8 Tryb kanałow...
Vishay
SIHK045N60EF-T1GE3
od PLN 29,796*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   791   792   793   794   795   796   797   798   799   800   801   ..   1439   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.