Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 582 ofert spośród 4 765 728 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 477 A DFNW8 60 V SMD Pojedynczy 294,6 W 900 μΩ (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 477 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DFNW8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź...
onsemi
NVMTS0D7N06CLTXG
od PLN 23,959*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 49 A H-PSOF8L 650 V SMD 0.05 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 49 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = NTBL050N65S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...
onsemi
NTBL050N65S3H
od PLN 19,936*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 41A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 41A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodza...
IXYS
IXKF40N60SCD1
od PLN 90,08*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A HiP247-4 650 V 0.067 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = HiP247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źró...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
od PLN 52,621*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 26A; 300W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzac...
ST Microelectronics
STWA48N60M2
od PLN 28,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,5A; Idm: 13,5A; 52W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 52W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FCD900N60Z
od PLN 2,91*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 478 A SO-8 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 478 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
Vishay
SIRS4302DP-T1-GE3
od PLN 8,106*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 49 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 38 W 8,1 milioma (1 Oferta) 
Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie DPAK z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Tranzystory MOSFET...
onsemi
NVMYS8D0N04CTWG
od PLN 7,26*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 44A; 568W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXFX44N60
od PLN 74,28*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Infineon
IAUC45N04S6N070HATMA1
od PLN 3,694*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 26A; 460W; TO268; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W ...
IXYS
IXTT26N60P
od PLN 25,48*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD60R1K5CEAUMA1
od PLN 2 109,10*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,9A; 125W; D2PAK,TO263 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: u...
Vishay
IRFBC40ASPBF
od PLN 4,08*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 48 A D2PAK (TO-263) 60 V SMD 0.023 Ω (2 ofert) 
Piąta generacja HEXFET firmy International Rectifier z serii Infineon wykorzystuje techniki przetwarzania Advanced, aby osiągnąć bardzo niski opór w przypadku obszaru krzemowego. Korzyści te, w poł...
Infineon
IRFZ44ESTRLPBF
od PLN 2,17*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 49,3 A PowerPak SO-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 49,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPak SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SIR4604DP-T1-GE3
od PLN 3,461*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   791   792   793   794   795   796   797   798   799   800   801   ..   1439   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.