MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 794/1 439)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Infineon IPP60R060P7 tranzystor 600 V (1 Oferta)

Infineon

IPP60R060P7XKSA1

od PLN 611,26*
za 50 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; D3PAK (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 431W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT60N60SCSG

od PLN 92,95*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 45 A DO-263S 200 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = DO-263S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1

ROHM Semiconductor

RCJ451N20TL

od PLN 6 646,82*
za 1 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,175Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40...

IXYS

IXFH24N60X

od PLN 17,43*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 483 A TO-247 100 V 0.00128 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 483 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = StrongIRFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...

Infineon

IRF100P218XKMA1

od PLN 23,75*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 47 A TO-247 650 V 0.034 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.03...

Infineon

IMW65R027M1HXKSA1

od PLN 59,277*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; Idm: 84A; 300W; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6029BLLG

od PLN 54,93*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 48 A TO-247 1700 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1700 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Materiał tranzystora = SiC

Microchip Technology

MSC035SMA170B

od PLN 145,112*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 45 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 30 W 7,7 milioma (1 Oferta)

Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie DPAK z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Odpowiedni do zast...

onsemi

NVD5C478NLT4G

od PLN 7 009,325*
za 2 500 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,175Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W...

IXYS

IXFA24N60X

od PLN 14,60*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 49 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 38 W 8,1 milioma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 49 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...

onsemi

NTMYS8D0N04CTWG

od PLN 7,617*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 29A; Idm: 116A; 400W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6021BFLLG

od PLN 78,58*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 47 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4

onsemi

NTH4L060N065SC1

od PLN 38,791*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 48 A TO-247 650 V 0.059 Ω (2 ofert)

MDMESH M6 MOSFET KANAŁ NSTMicroelectronics wysokiego napięcia N-kanałowy Power MOSFET jest częścią serii MDmesh DM6 Fast Recovery Diode. W porównaniu z poprzednią generacją MDmesh, DM6 łączy bardzo...

ST Microelectronics

STWA68N65DM6

od PLN 29,64*
za szt.

Infineon IPD135N08N3 G tranzystor 80 V (1 Oferta)

Infineon

IPD135N08N3GATMA1

od PLN 3 938,90*
za 2 500 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 791 792 793 794 795 796 797 798 799 800 801 .. 1439 Dalej

MOSFET (21 582 ofert spośród 4 765 728 artykułów)

"MOSFET"