 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 1,30*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 375 A HSOF 0,82 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 375 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 0,82 V Typ opakowania = HSOF Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie... |
|
od PLN 26,694*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPD70R1K4P7SAUMA1 |
od PLN 0,782*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT56F50L |
od PLN 53,17*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 4 A PowerDI3333-8 60 V SMD 0.1 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja ... |
|
od PLN 1,14*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 53,51*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,396*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 23,65*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 4 A TO-3PN 1500 V 4.6 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1500 V Typ opakowania = TO-3PN Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł... |
Renesas Electronics 2SK1835-E |
od PLN 775,4301*
za 30 szt. |
|
|
|
|
od PLN 10,13*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 38 A TO-263-7 650 V SMD 60 MO (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 38 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SCT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 60 ... |
ROHM Semiconductor SCT3060AW7TL |
od PLN 51,731*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 4 A SOT-223 60 V SMD 0,007 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-ź... |
ST Microelectronics STN3NF06 |
od PLN 3,202*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 22,36*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 13,44*
za 5 szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 6A; TO220F (1 Oferta) Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolar... |
Alpha & Omega Semiconductor AOTF9N50 |
od PLN 2,43*
za szt. |
|
|
