Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 582 ofert spośród 4 765 738 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 29A; Idm: 116A; 400W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6021SFLLG
od PLN 83,22*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A PG-TSDSON-8-2 250 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 250 V Typ opakowania = PG-TSDSON-8-2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSZ42DN25NS3GATMA1
od PLN 2,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 29W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 29W Polar...
Infineon
IPA60R060P7
od PLN 22,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-247 1700 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1700 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Materiał tranzystora = SiC
Microchip Technology
MSC035SMA170B
od PLN 157,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24A; 69W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 69W Polary...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB099CF C0G
od PLN 15,05*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A DPAK (TO-252) 200 V SMD 600 MO (1 Oferta) 
Jednokanałowy tranzystor Infineon 200V HEXFET Power MOSFET w zestawie D-Pak.Płaska struktura komórek dla szerokiego SOA Zoptymalizowane pod kątem najszerszej dostępności od partnerów dystrybucyjnyc...
Infineon
IRFR220NTRLPBF
od PLN 1,862*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 481W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT77N60BC6
od PLN 56,26*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A D2PAK (TO-263) 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SIHB055N60EF-GE3
od PLN 20,658*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2A; Idm: 3,7A; 42W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryza...
Diodes
DMG3N60SCT
od PLN 1,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A SO-8 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...
Vishay
SI4848BDY-T1-GE3
od PLN 3 980,775*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 379W; TO247AC (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 530mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 379W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SIHG47N60AEL-GE3
od PLN 27,24*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-247 650 V 0.059 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = STWA68N65DM6 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
ST Microelectronics
STWA68N65DM6
od PLN 53,747*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPI60R125CPXKSA1
od PLN 12,28*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A DPAK (TO-252) 600 V SMD 1.5 omów (1 Oferta) 
Infineon CoolMOS™ CE jest odpowiedni do twardych i miękkich zastosowań przełączania, a jako nowoczesny superwęzeł zapewnia niskie straty przewodzenia i przełączania, poprawiając wydajność i ostatec...
Infineon
IPD60R1K5CEAUMA1
od PLN 1,266*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 481W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT77N60SC6
od PLN 60,30*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   791   792   793   794   795   796   797   798   799   800   801   ..   1439   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.