 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
Infineon IPD135N08N3GATMA1 |
od PLN 3 946,40*
za 2 500 szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT38N60BC6 |
od PLN 27,31*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSC117N08NS5ATMA1 |
od PLN 3,882*
za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2A; 45W; DPAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacja:... |
ST Microelectronics STD2HNK60Z |
od PLN 1,56*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 47 A TO-247AD 700 V 0.073 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0... |
|
od PLN 24,751*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-247-4 1700 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1700 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1 |
Microchip Technology MSC035SMA170B4 |
od PLN 4 470,78*
za 30 szt. |
|
|
|
Taiwan Semiconductor TSM60N900CI C0G |
od PLN 5,17*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 45 A H2PAK-7 650 V SMD 0.067 Ω (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = H2PAK-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren... |
ST Microelectronics SCTH35N65G2V-7AG |
od PLN 48,80*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 22,36*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 49,3 A PowerPak SO-8 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 49,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPak SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 |
|
od PLN 2,878*
za szt. |
|
|
|
YANGJIE TECHNOLOGY YJ2N60CI |
od PLN 0,48*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,259*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,49*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 45 A HiP247 650 V 0,045 oma (2 ofert) Tranzystor MOSFET STMicroelectronics 650V z węglika krzemu ma prąd znamionowy 45A i rezystancję spustu do źródła 45 m. Charakteryzuje się niską opornością na jednostkę powierzchni i bardzo dobrą wy... |
ST Microelectronics SCTW35N65G2V |
od PLN 48,621*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 13,61*
za szt. |
|
|
