Podgląd | "Tranzystor SMD"Pojęcia nadrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor małosygnałowy, NPN, 40V, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor małosygnałowy, Typ=MMBT2222ALT1G, Ciągły prąd kolektora (Ic)=600 mA, Częstotliwość tranzytowa=300 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=75 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napięcie kole... |
|
od PLN 0,0598*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 16A; 190W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 90ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 36,22*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 24 722,2725*
za 750 szt. |
| |
Tranzystor małosygnałowy, NPN, 40V, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor małosygnałowy, Typ=MMBT3904LT1G, Ciągły prąd kolektora (Ic)=200 mA, Częstotliwość tranzytowa=300 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=60 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napięcie kolek... |
|
od PLN 0,0564*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 0,3µs Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 23,72*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 15,704*
za szt. |
| |
Tranzystor małosygnałowy, NPN, 45V, SOT-23 (4 ofert) Tranzystor małosygnałowy, Typ=BC817-25LT1G, Ciągły prąd kolektora (Ic)=500 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie kolek... |
|
od PLN 0,0746*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263-2 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 56ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 18,67*
za szt. |
| |
|
Infineon IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
od PLN 2,144*
za szt. |
| |
Tranzystor małosygnałowy, PNP, -65V, SOT-23 (4 ofert) Tranzystor małosygnałowy, Typ=BC856BLT1G, Ciągły prąd kolektora (Ic)=-100 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-80 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-5 V, Napięcie kole... |
|
od PLN 0,0627*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 360A Czas załączania: 134ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 30,83*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 5 754,936*
za 800 szt. |
| |
Tranzystor mocy RF LDMOS, 136 ... 941 MHz, Kanał N, 30V, SOT-89 (1 Oferta) Tranzystor mocy RF LDMOS, 136 ... 941 MHz, Typ=AFT05MS004NT1, Ciągły prąd drenu (Id)=-999, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=12 V, Napięcie źró... |
|
od PLN 10,07*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 32A; 350W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 32A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 90ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 70,24*
za szt. |
| |
|
ST Microelectronics SGT65R65AL |
od PLN 75 249,63*
za 3 000 szt. |
| |
|
