Tranzystor SMD kup korzystnie w Mercateo (strona 23/625)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor mocy, NPN, 100V, 8A, DPAK (1 Oferta)

Tranzystor mocy, Typ=MJD122T4, Ciągły prąd kolektora (Ic)=8 A, Częstotliwość tranzytowa=-999, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=100 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=...

brak danych

MJD122T4

od PLN 3,01*
za szt.

Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 21A; 350W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 107ns Czas wyłączania:...

IXYS

IXGT32N170A

od PLN 73,91*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 209 A PG-TO263-7 80 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 209 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005578892

od PLN 5 115,072*
za 800 szt.

Tranzystor mocy, NPN, 400V, SOT-223 (1 Oferta)

Tranzystor mocy, Typ=STN83003, Ciągły prąd kolektora (Ic)=1.5 A, Częstotliwość tranzytowa=-999, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=18 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=18 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo...

brak danych

STN83003

od PLN 1,76*
za szt.

Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26ns ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT25GR120S

od PLN 27,71*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 44 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD 0.0146 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...

Infineon

BSC0803LSATMA1

od PLN 3,215*
za szt.

Tranzystor mocy, NPN, 60V, SOT-223 (1 Oferta)

Tranzystor mocy, Typ=2STN1360, Ciągły prąd kolektora (Ic)=3 A, Częstotliwość tranzytowa=130 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=80 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo...

brak danych

2STN1360

od PLN 1,89*
za szt.

Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT25GR120SD15

od PLN 33,73*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 282 A PG-TO263-7 80 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 282 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005578878

od PLN 7 364,032*
za 800 szt.

Tranzystor mocy, NPN, 80V, 1A, SOT-223 (1 Oferta)

Tranzystor mocy, Typ=BCP56-16, Ciągły prąd kolektora (Ic)=1 A, Częstotliwość tranzytowa=-999, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=100 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=...

brak danych

BCP56-16

od PLN 1,18*
za szt.

Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 5A; 140W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 5A Prąd kolektora w impulsie: 20A Czas załączania: 107ns Czas wyłączania: 2...

IXYS

IXGT10N170A

od PLN 24,81*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 274 A PG-TO263-7 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 274 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005578929

od PLN 9 448,136*
za 800 szt.

Tranzystor mocy, NPN, 80V, DPAK (1 Oferta)

Tranzystor mocy, Typ=MJD44H11T4, Ciągły prąd kolektora (Ic)=8 A, Częstotliwość tranzytowa=-999, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=5 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=...

brak danych

MJD44H11T4

od PLN 3,18*
za szt.

Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3A Prąd kolektora w impulsie: 24A Czas załączania: 85ns Czas wyłączania: 0,...

IXYS

IXGT6N170

od PLN 14,99*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 227 A PG-TO263-7 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 227 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005578916

od PLN 7 097,552*
za 800 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .. 625 Dalej

Tranzystor SMD (9 374 ofert spośród 4 796 416 artykułów)

"Tranzystor SMD"