Tranzystor SMD kup korzystnie w Mercateo (strona 26/625)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Infineon IRLML0100 tranzystor 100 V (3 ofert)

Infineon

IRLML0100TRPBF

od PLN 0,38*
za szt.

Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 8A; 280W; TO263 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 24ns Czas wyłączania: 32...

IXYS

IXYA8N250CHV

od PLN 40,62*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 31 A TDSON 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

ISC230N10NM6ATMA1

od PLN 2,803*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 1.7A, SOT-223 (3 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=FQT7N10LTF, Ciągły prąd drenu (Id)=1.7 A, Czas narastania=210 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źró...

onsemi

FQT7N10LTF

od PLN 1,27*
za szt.

Tranzystor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 18A Czas załączania: 19ns Czas...

Infineon

IKD06N60RATMA1

od PLN 2,14*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 259 A PG-TO263-7 80 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 259 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005578885

od PLN 10,755*
za szt.

Infineon BSP372N tranzystor 60 V (3 ofert)

Infineon

BSP372NH6327XTSA1

od PLN 1,56*
za szt.

Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; D3PAK (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns C...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT80GA90S

od PLN 49,94*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 57 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 57 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Infineon

BSZ063N04LS6ATMA1

od PLN 2,162*
za szt.

Infineon BSP373N tranzystor 20 V (4 ofert)

Infineon

BSP373NH6327XTSA1

od PLN 0,977*
za szt.

Tranzystor: IGBT; Planar; 1,2kV; 5A; 45W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 5A Prąd kolektora w impulsie: 9A Czas załączania: 110ns Czas wyłączania: 35...

IXYS

IXA4IF1200TC

od PLN 14,53*
za szt.

Infineon BSC146N10LS5 tranzystor 100 V (1 Oferta)

Infineon

BSC146N10LS5ATMA1

od PLN 11 825,15*
za 5 000 szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 10A, TO-252 (2 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR120NTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=35 ns, Czas opadania=22 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=23 ns, Czas opóźnienia włączenia=4 ns, Napięcie bramka-źró...

Infineon

IRLR120NTRLPBF

od PLN 0,95*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; CoolGaN™; unipolarny; HEMT; 600V; 12,5A; 55,5W (2 ofert)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...

Infineon

IGT60R190D1SATMA1

od PLN 34,06*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 365 A. DFN 25 V SMD 0.00068 Ω (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET ON Semiconductor Power Single N-Channel działa z napięciem 365 A i 25 V. Może być używany w przełączniku zasilania, zarządzaniu akumulatorem notebooka, przetwornicy DC/DC.Niski op...

onsemi

NTMFS0D8N02P1ET1G

od PLN 6,318*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .. 625 Dalej

Tranzystor SMD (9 374 ofert spośród 4 796 481 artykułów)

"Tranzystor SMD"