Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor SMD

  Tranzystor SMD  (9 374 ofert spośród 4 792 136 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor SMD“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor SMD"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 17A, TO-263 (4 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF530NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=17 A, Czas narastania=22 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=35 ns, Czas opóźnienia włączenia=9.2 ns, Napięcie bramka-ź...
Infineon
IRF530NSTRLPBF
od PLN 1,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 47A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030B3
od PLN 140,48*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1
od PLN 7 329,75*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon
BSS123NH6327XTSA1
od PLN 0,261*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 25V; 0,225W; SOT23; 10mA (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 25V Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napię...
onsemi
MMBFU310LT1G
od PLN 0,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 475 A HSOF-5 40 V SMD 0.0006 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 475 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = HSOF-5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-...
Infineon
IST006N04NM6AUMA1
od PLN 6,523*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 190mA, SOT-23 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BST82, Ciągły prąd drenu (Id)=190 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=3 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=100 V, Rezy...
NXP
BST82
od PLN 1,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 36 A SuperSO8 5 x 6 250 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 250 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...
Infineon
BSC430N25NSFDATMA1
od PLN 15,428*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 190mA, SOT-23 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BSS123NH6433XTMA1, Ciągły prąd drenu (Id)=190 mA, Czas narastania=3.2 ns, Czas opadania=22 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=7.4 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.3 ns, Napięcie b...
Infineon
BSS123NH6433XTMA1
od PLN 0,205*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SOT23; 50mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 50Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma...
onsemi
MMBFJ112
od PLN 0,358*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 73 A SuperSO8 5 x 6 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 73 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na u...
Infineon
BSZ075N08NS5ATMA1
od PLN 3,247*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSS119NH6327XTSA1
od PLN 0,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SOT23; 50mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 100Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśm...
onsemi
MMBFJ113
od PLN 0,334*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 52 A PG-TO252-3 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 52 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005737452
od PLN 3 276,08*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 190mA, SOT-23 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BSS123IXTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=190 mA, Czas narastania=3.2 ns, Czas opadania=22 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=7.4 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.3 ns, Napięcie bramka...
Infineon
BSS123IXTSA1
od PLN 0,13*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   ..   625   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.