Tranzystor SMD kup korzystnie w Mercateo (strona 24/625)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor mocy, PNP, 80V, DPAK (3 ofert)

Tranzystor mocy, Typ=MJD45H11G, Ciągły prąd kolektora (Ic)=8 A, Częstotliwość tranzytowa=-999, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-999, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=...

onsemi

MJD45H11G

od PLN 1,563*
za szt.

Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 11A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania: 2...

IXYS

IXGT16N170A

od PLN 40,02*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 475 A HSOF-5 40 V SMD 0.0006 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 475 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = HSOF-5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-...

Infineon

IST006N04NM6AUMA1

od PLN 9,334*
za szt.

Tranzystor mocy, PNP, 80V, DPAK (1 Oferta)

Tranzystor mocy, Typ=MJD45H11T4, Ciągły prąd kolektora (Ic)=8 A, Częstotliwość tranzytowa=-999, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=5 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=...

brak danych

MJD45H11T4

od PLN 3,40*
za szt.

Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268 (1 Oferta)

IXYS

IXGT16N170AH1

od PLN 64,89*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 294 A PG-HSOF-8 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 294 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-HSOF-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005612527

od PLN 19 104,48*
za 1 800 szt.

Infineon BSL215C tranzystor 20 V (3 ofert)

Infineon

BSL215CH6327XTSA1

od PLN 0,552*
za szt.

Tranzystor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK (2 ofert)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 30A Czas załączania: 24ns Cza...

Infineon

IKD10N60RATMA1

od PLN 2,286*
za szt.

Infineon BSR202N tranzystor 20 V (3 ofert)

Infineon

BSR202NL6327HTSA1

od PLN 0,691*
za szt.

Infineon IRF7317 tranzystor 20 V (3 ofert)

Infineon

IRF7317TRPBF

od PLN 1,617*
za szt.

Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; D3PAK (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 109A Czas załączania: 29ns C...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT36GA60SD15

od PLN 33,03*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 236 A PG-HSOF-8 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 236 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-HSOF-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005679731

od PLN 15,159*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N / Kanał P, 20V, Micro8 (3 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7507TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=-999, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=12 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=20 V, R...

Infineon

IRF7507TRPBF

od PLN 0,712*
za szt.

Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania: 4...

IXYS

IXGT24N170A

od PLN 36,11*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 52 A PG-TO252-3 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 52 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005571685

od PLN 11,702*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .. 625 Dalej

Tranzystor SMD (9 374 ofert spośród 4 795 745 artykułów)

"Tranzystor SMD"