Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor SMD

  Tranzystor SMD  (9 357 ofert spośród 4 792 391 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor SMD“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor SMD"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 170mA, SOT-23 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BSS123L, Ciągły prąd drenu (Id)=170 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=31 ns, Czas opóźnienia włączenia=3.4 ns, Napięcie bramka-źródło=...
onsemi
BSS123L
od PLN 0,148*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53,6W; DPAK (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 7,5A Czas załączania: 17ns Cza...
Infineon
IKD03N60RFATMA1
od PLN 1,386*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 60 A SuperSO8 5 x 6 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Infineon
IAUC60N04S6N044ATMA1
od PLN 2,087*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 170mA, SOT-23 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BSS123, Ciągły prąd drenu (Id)=170 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=31 ns, Czas opóźnienia włączenia=3.4 ns, Napięcie bramka-źródło=2...
onsemi
BSS123
od PLN 0,133*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 25A; 937W; TO268HV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 235A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania...
IXYS
IXYT25N250CHV
od PLN 106,23*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC097N06NSTATMA1
od PLN 1,725*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 17A, D2PAK (4 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRL530NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=17 A, Czas narastania=53 ns, Czas opadania=26 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.2 ns, Napięcie bramka-ź...
Infineon
IRL530NSTRLPBF
od PLN 2,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 15V; 50mA; 0,2W; SOT23; Igt: 10mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 15V Prąd drenu: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ta...
onsemi
2SK932-23-TB-E
od PLN 0,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 44 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD 0.0146 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...
Infineon
BSC0803LSATMA1
od PLN 11 555,05*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 17A, TO-252 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR3410TRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=17 A, Czas narastania=53 ns, Czas opadania=26 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.2 ns, Napięcie bramka-ź...
Infineon
IRLR3410TRLPBF
od PLN 2,638*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 15V; 50mA; 0,2W; SOT23; Igt: 10mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 15V Prąd drenu: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ta...
onsemi
2SK932-24-TB-E
od PLN 1,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 31 A TDSON 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
ISC230N10NM6ATMA1
od PLN 9,345*
za 5 szt.
 
 opakowania
Infineon
IRLR3410TRPBF
od PLN 1,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080B3
od PLN 43,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 64 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 64 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na u...
Infineon
BSC066N06NSATMA1
od PLN 2,803*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   ..   624   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.