Podgląd | "Tranzystor SMD"Pojęcia nadrzędne |
| | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
|
od PLN 1,435* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,325* za szt. |
| |
|
|
od PLN 11,656* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 10A, TO-263 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRL520NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=35 ns, Czas opadania=22 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=23 ns, Czas opóźnienia włączenia=4 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 1,751* za szt. |
| |
|
|
od PLN 3,216* za szt. |
| |
|
|
od PLN 65,349* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 16A, TO-252 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR3910TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=16 A, Czas narastania=27 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=37 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.4 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 1,555* za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,949* za szt. |
| |
|
Infineon IST007N04NM6AUMA1 |
od PLN 6,637* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,41* za szt. |
| |
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SOT23; 50mA (2 ofert) Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 30Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma... |
|
od PLN 0,439* za szt. |
| |
|
Infineon IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
od PLN 6 100,80* za 5 000 szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 170mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS123G, Ciągły prąd drenu (Id)=170 mA, Czas narastania=9 ns, Czas opadania=2.4 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=17 ns, Czas opóźnienia włączenia=1.7 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 0,83* za szt. |
| |
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,46W; SOT23; 10mA (1 Oferta) Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 18Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,46W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma... |
|
od PLN 0,77* za szt. |
| |
|
|
od PLN 17,741* za szt. |
| |
|