Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 120 A Uce 750 V 3 TO247PLUS 170 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 3 Typ opakowania = TO247PLUS |
Infineon AIKQ120N75CP2XKSA1 |
od PLN 45,305*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 360A Czas załączania: 134ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 30,99*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,955*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 20A, TO-247 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH20N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=43 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie... |
|
od PLN 12,78*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 48ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 28,16*
za szt. |
| |
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Monta... |
|
od PLN 112,92*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 7,90*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 20A, TO-247 (4 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRFP460LCPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=77 ns, Czas opadania=43 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=40 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napię... |
|
od PLN 7,309*
za szt. |
| |
IGBT Ic 139 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 658 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 139 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = Montaż... |
|
od PLN 126,787*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 48A Czas załączania: 39ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 11,18*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 26A, TO-220 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IXFP26N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=26 A, Czas narastania=7 ns, Czas opadania=5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=38 ns, Czas opóźnienia włączenia=21 ns, Napięcie... |
|
od PLN 20,38*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,57*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 48A Czas załączania: 39ns Czas wyłączania: 238... |
|
od PLN 6,92*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 26A, TO-247 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH26N50P, Ciągły prąd drenu (Id)=26 A, Czas narastania=33 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=16 ns, Napięci... |
|
od PLN 18,72*
za szt. |
| |
IGBT Ic 141 A Uce 1200 V TO-247AC 543 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 141 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 543 W Typ opakowania = TO-247AC |
|
od PLN 33,184*
za szt. |
| |
|
