Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 15 A Uce 600 V SDIP2B Szereg 0.07 mW (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 600V Maksymalna strata mocy = 0.07 mW Typ opakowania = SDIP2B Liczba styków =... |
ST Microelectronics STGIB10CH60TS-LZ |
od PLN 31,79*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 70A Prąd kolektora w impulsie: 490A Czas załączania: 65ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 46,67*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 78A, TO-264 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK78N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=78 A, Czas narastania=10 ns, Czas opadania=7 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=60 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięci... |
|
od PLN 61,97*
za szt. |
| |
IGBT Ic 20 A Uce 600 V 1 TO-247 192 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Dioda pojedyncza |
|
od PLN 9,365*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 9A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 36ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 9,03*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A PG-TO247-3-46 938 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 938 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46 |
Infineon IKQ75N120CH3XKSA1 |
od PLN 49,023*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 32,19*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 8A, TO-220AB (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRF840LCPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=8 A, Czas narastania=25 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=27 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięci... |
|
od PLN 3,11*
za szt. |
| |
|
ST Microelectronics STGW100H65FB2-4 |
od PLN 27,537*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 265A Czas załączania: 94ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 34,53*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 98A, ISOPLUS247 (4 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IXFX98N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=98 A, Czas narastania=21 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=90 ns, Czas opóźnienia włączenia=48 ns, Napięc... |
|
od PLN 47,10*
za szt. |
| |
IGBT Ic 15 A Uce 650 V 1 TO-220 kanał: N 33,3 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otw... |
|
od PLN 6,945*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 18A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 18A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 21ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GT120BRDQ1G |
od PLN 23,20*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 98A, TO-264 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK98N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=98 A, Czas narastania=21 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=90 ns, Czas opóźnienia włączenia=48 ns, Napięc... |
|
od PLN 48,00*
za szt. |
| |
IGBT Ic 20 A Uce 600 V SDIP2B Szereg 0.08 mW (1 Oferta) Wytrzymałe tranzystory IGBT firmy STMicroelectronics do zwarć łączą w sobie nowe funkcje kontroli ICS firmy ST z odporną na zwarcia bramką do rowów z ogranicznikiem polowym IGBT, co czyni je przyda... |
ST Microelectronics STGIB15CH60TS-LZ |
od PLN 118,58*
za szt. |
| |
|
