Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 60ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 20,85*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 200mA, SOT-23 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138L, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie ... |
|
od PLN 0,136*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP150R12N3T7B11BPSA1 |
od PLN 1 132,473*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GR120S |
od PLN 28,01*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 210mA, SOT-323 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138W, Ciągły prąd drenu (Id)=210 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie ... |
|
od PLN 0,251*
za szt. |
| |
|
Infineon IKW15N120CS7XKSA1 |
od PLN 15,138*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 22,74*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 220mA, SOT-23 (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138, Ciągły prąd drenu (Id)=220 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie b... |
|
od PLN 0,202*
za szt. |
| |
|
Infineon IKQ75N120CS6XKSA1 |
od PLN 28,458*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 30A; 357W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 31ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT33GF120B2RDQ2G |
od PLN 76,88*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 220mA, SOT-23 (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138K, Ciągły prąd drenu (Id)=220 mA, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=35 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=60 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie b... |
|
od PLN 0,267*
za szt. |
| |
|
Infineon IKWH20N65WR6XKSA1 |
od PLN 7,69*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 310A Czas załączania: 104ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 19,80*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 220mA, SOT-23 (1 Oferta) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138G, Ciągły prąd drenu (Id)=220 mA, Czas narastania=9 ns, Czas opadania=7 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.5 ns, Napięcie ... |
|
od PLN 0,49*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS150R12N2T7B15BPSA1 |
od PLN 679,313*
za szt. |
| |
|
