 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 40A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 47n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GR120B |
od PLN 31,50*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 104A, TO-220 (4 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRL2505PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=104 A, Czas narastania=160 ns, Czas opadania=84 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=43 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napię... |
|
od PLN 4,30*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS150R12N2T7B54BPSA1 |
od PLN 679,342*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 694W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 73ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GT120LRDQ2G |
od PLN 81,18*
za szt. |
|
|
|
Infineon FP200R12N3T7BPSA1 |
od PLN 13 260,30*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1,2kW; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 140A Prąd kolektora w impulsie: 730A Czas załączania: 114ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 54,74*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 131A, D2PAK (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1405STRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=131 A, Czas narastania=190 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=130 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns,... |
|
od PLN 4,12*
za szt. |
|
|
|
Infineon FS150R12N2T7BPSA1 |
od PLN 5 471,03*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 77ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GT120LRG |
od PLN 74,69*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 135A, D2PAK (1 Oferta) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRF2805STRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=135 A, Czas narastania=120 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=68 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, ... |
|
od PLN 8,11*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 150 A PG-TO247-3-46 938 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 938 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46 |
Infineon IKQ75N120CH3XKSA1 |
od PLN 43,46*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 694W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 66ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GR120B2 |
od PLN 46,35*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = Mostek 3 fazowy Typ mont... |
|
od PLN 9 847,22*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 75A; 781W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 68ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GF120LRG |
od PLN 92,14*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 17A, TO-247 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR024NTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=17 A, Czas narastania=34 ns, Czas opadania=27 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=19 ns, Czas opóźnienia włączenia=4.9 ns, Nap... |
|
od PLN 1,16*
za szt. |
|
|
