Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 145 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 441 W (2 ofert) Bramka STMicroelectronics Field-stop, 650 V, 100 A, szybka seria IGBT HB2 w pakiecie DO 247 długich odprowadzeń.Maksymalna temperatura połączenia: TJ = 175 °C. Niskie VCE (SAT) = 1.55 V (typowo) PR... |
ST Microelectronics STGWA100H65DFB2 |
od PLN 17,233*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 200A; 1,63kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Czas załączania: 135ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 66,96*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 44A, TO-247 (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH44N50Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=44 A, Czas narastania=13 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=37 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięci... |
|
od PLN 54,21*
za szt. |
| |
IGBT Ic 139 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 658 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 139 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Monta... |
|
od PLN 107,773*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 160A Prąd kolektora w impulsie: 860A Czas załączania: 93ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 51,25*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 44A, TO-264 (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK48N50, Ciągły prąd drenu (Id)=44 A, Czas narastania=60 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=100 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięci... |
|
od PLN 92,02*
za szt. |
| |
|
Infineon IKW15N120CS7XKSA1 |
od PLN 479,9802*
za 30 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 146A Czas załączania: 65ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 12,64*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 45A, ISOPLUS247 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IXFR64N50Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=45 A, Czas narastania=11 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=46 ns, Czas opóźnienia włączenia=36 ns, Napięci... |
|
od PLN 90,14*
za szt. |
| |
IGBT Ic 193 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 193 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 517 W Konfiguracja = Półmostek Typ montażu = ... |
|
od PLN 361,252*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 56ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 17,60*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 50A, TO-247 (1 Oferta) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH50N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=50 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=53 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięci... |
|
od PLN 49,09*
za szt. |
| |
IGBT Ic 146 A Uce 600 V 1 SOT-227 kanał: N 446 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 146 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 446 W Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu =... |
|
od PLN 1 010,48*
za 10 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 67ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 15,20*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 5A, TO-220AB (4 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRF830APBF, Ciągły prąd drenu (Id)=5 A, Czas narastania=21 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=21 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie... |
|
od PLN 1,77*
za szt. |
| |
|
