 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GR120B |
od PLN 23,56*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 3A, SO-8 (4 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7103TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=3 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie... |
|
od PLN 0,99*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 15 A Uce 1200 V AG-EASY1B-711 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-EASY1B-711 |
|
od PLN 131,803*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GR120BD15 |
od PLN 29,64*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,116*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP150R12N3T7PB11BPSA1 |
od PLN 1 182,064*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 77ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GT120B2RG |
od PLN 69,70*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 550V, 12A, TO-220 (1 Oferta) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=STP12NM50, Ciągły prąd drenu (Id)=12 A, Czas narastania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, N... |
|
od PLN 15,25*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP200R12N3T7B11BPSA1 |
od PLN 1 314,193*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 110A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 71ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 25,37*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,04*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS150R12N3T7BPSA1 |
od PLN 831,922*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 40A; 500W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 47ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GR120B2D30 |
od PLN 40,96*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 1.9A, SOT-223 (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRFL014NTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=1.9 A, Czas narastania=7.1 ns, Czas opadania=3.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.6 ns, ... |
|
od PLN 2,50*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 15 A Uce 600 V SDIP2B Szereg 0.07 mW (1 Oferta) Wytrzymałe tranzystory IGBT firmy STMicroelectronics do zwarć łączą w sobie nowe funkcje kontroli ICS firmy ST z odporną na zwarcia bramką do rowów z ogranicznikiem polowym IGBT, co czyni je przyda... |
ST Microelectronics STGIB10CH60TS-LZ |
od PLN 44,23*
za szt. |
|
|
