Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA90S |
od PLN 49,52*
za szt. |
| |
|
Infineon 2N7002DWH6327XTSA1 |
od PLN 0,19*
za szt. |
| |
IGBT Ic 300 A Uce 1700 V CTI 1,8 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 300 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1,8 kW Konfiguracja = Podwójna Typ montażu = ... |
|
od PLN 757,084*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; TO264MAX (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 96A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 85n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT65GP60L2DQ2G |
od PLN 100,14*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 300mA, TO-92 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=VN2106N3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źródło=2... |
Microchip Technology VN2106N3-G |
od PLN 1,633*
za szt. |
| |
|
Qorvo (UnitedSiC) UF3C065040K3S |
od PLN 142,90*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 310mA, SOT-23 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002ET1G, Ciągły prąd drenu (Id)=310 mA, Czas narastania=1.2 ns, Czas opadania=3.6 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=4.8 ns, Czas opóźnienia włączenia=1.7 ns, Napięcie bramka-... |
|
od PLN 0,128*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 4,248*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 310mA, TO-92 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=VN10KN3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=310 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, ... |
Microchip Technology VN10KN3-G |
od PLN 1,51*
za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 1350 V 1 TO-247 kanał: N 330 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1350 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Liczba st... |
|
od PLN 9,969*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 40A; TO247-3 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Typ tranzystora: IGBT Rodzaj opakowania: tuba Właściwo... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH40N120HF |
od PLN 26,98*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 320mA, SOT-323 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138PW, Ciągły prąd drenu (Id)=320 mA, Czas narastania=3 ns, Czas opadania=4 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=2 ns, Napięcie bramka-źródło=20 ... |
|
od PLN 0,31*
za szt. |
| |
IGBT Ic 34 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 111 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 34 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 111 W Typ opakowania = PG-TO247-3-AI Li... |
Infineon IKFW40N60DH3EXKSA1 |
od PLN 15,892*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GP90BG |
od PLN 36,96*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 32A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=FQP30N06L, Ciągły prąd drenu (Id)=32 A, Czas narastania=210 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=60 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 3,21*
za szt. |
| |
|
