Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 115mA, SOT-363 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002DW, Ciągły prąd drenu (Id)=115 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, R... |
|
od PLN 0,256*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 20A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 50A Czas załączania: 21ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT13GP120BG |
od PLN 25,68*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 11A, SOT-223 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM900N06CW RPG, Ciągły prąd drenu (Id)=11 A, Czas narastania=9.5 ns, Czas opadania=5.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=18.4 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.9 ns, Napięcie bra... |
Taiwan Semiconductor TSM900N06CW RPG |
od PLN 1,33*
za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) ROHM Field stop trench IGBT używany głównie jako grzejnika dla motoryzacji. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwarcia 10 μs Zgodność z ... |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2HRC11 |
od PLN 17,599*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 2,5kV; 2A; 32W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2A Prąd kolektora w impulsie: 13,5A Czas załączania: 115ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 42,46*
za szt. |
| |
|
Infineon IPP032N06N3GXKSA1 |
od PLN 4,21*
za szt. |
| |
IGBT Ic 80 A Uce 1350 V PG-TO247-3 394 W (2 ofert) Dwubiegunowy tranzystor izolowany Infineon z przełączaniem dźwiękochłonnym o niskim napięciu nasycenia.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia el... |
|
od PLN 13,137*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 120A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFB3306PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=120 A, Czas narastania=76 ns, Czas opadania=77 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=40 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 5,46*
za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) Układ ROHM z ogranicznikiem polowym IGBT używany głównie w układzie PFC, UPS, IH i układzie kondycjonera mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wy... |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2GC11 |
od PLN 15,612*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 27A; 223W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w impulsie: 79A Czas załączania: 18ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT27GA90BD15 |
od PLN 26,59*
za szt. |
| |
|
Infineon IPP040N06N3GXKSA1 |
od PLN 3,76*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 19,684*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 140A Czas załączania: 36ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GP120B2DQ2G |
od PLN 250,83*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N7002TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP261N7002TR-G |
od PLN 0,65*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 348,96*
za 30 szt. |
| |
|
