 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 26 A Uce 600 V 1 DO-220-3 130 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 26 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza |
|
od PLN 3,647*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 96A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 84ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT65GP60B2G |
od PLN 74,99*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSS138NH6327XTSA2 |
od PLN 0,249*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65CHRC11 |
od PLN 39,182*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w impulsie: 65A Czas załączania: 20ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GP60BDQ1G |
od PLN 22,64*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 230mA, SOT-23 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138IXTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=230 mA, Czas narastania=3 ns, Czas opadania=8.2 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=6.7 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.3 ns, Napięcie bramka-... |
|
od PLN 0,211*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65HRC11 |
od PLN 16,71*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 8A; 280W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 24ns Czas wyłączania: 32... |
|
od PLN 40,37*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSS159NH6327XTSA2 |
od PLN 0,423*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65EHRC11 |
od PLN 18,405*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,90*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 230mA, TO-92 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=VN2222LL-G, Ciągły prąd drenu (Id)=230 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V,... |
Microchip Technology VN2222LL-G |
od PLN 1,732*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 281 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 1,09 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 281 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Monta... |
|
od PLN 159,93*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 35A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 25ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GA90BD15 |
od PLN 26,94*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,95*
za szt. |
|
|
